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一、文檔概述

本文聚焦非易失性存儲(chǔ)器（NVM）單元表征與MOSFET晶體管測(cè)試的核心技術(shù)，介紹關(guān)鍵存儲(chǔ)類型、測(cè)試痛點(diǎn)及適配測(cè)試儀器，為相關(guān)電子元件研發(fā)與檢測(cè)提供技術(shù)參考。

二、核心存儲(chǔ)與測(cè)試相關(guān)內(nèi)容

（一）主流NVM類型

（二）MOSFET測(cè)試痛點(diǎn)與方案

現(xiàn)代MOSFET采用高κ材料作電介質(zhì)，易出現(xiàn)電荷俘獲問(wèn)題，導(dǎo)致閾值電壓不穩(wěn)定。直流測(cè)量因電荷俘獲時(shí)間跨度大而失真，脈沖I-V測(cè)量為有效方案。其測(cè)試可通過(guò)雙通道儀器實(shí)現(xiàn)，柵極與漏極通道分別施壓，掃描獲取特性曲線（插入MOSFET三端I-V測(cè)試配置示意圖位置）。

（三）三類脈沖I-V測(cè)量方式

1. 直流I_d-V_g曲線：易受電荷俘獲影響，不適用于高速器件；

2. 短脈沖曲線：納秒級(jí)脈沖可測(cè)器件本征響應(yīng)，但無(wú)法捕捉電荷俘獲信息；

3. 慢脈沖曲線：微秒級(jí)脈沖可觀測(cè)電流衰減，兼顧器件特性與壽命預(yù)測(cè)。

三、適配測(cè)試儀器

Active Technologies的PG-1000脈沖發(fā)生器是理想激勵(lì)源。其時(shí)間分辨率達(dá)10皮秒，振幅最高5Vpp，基線偏移±2.5V，脈沖寬度范圍300皮秒至1秒，可靈活調(diào)整脈沖參數(shù)。既能匹配STT-MRAM、PCM等NVM單元的編程與擦除測(cè)試，也能滿足MOSFET各類脈沖表征需求，助力提升測(cè)試精準(zhǔn)度與效率。

PG-1000脈沖發(fā)生器主要指標(biāo)：

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