本文聚焦非易失性存儲器（NVM）單元表征與MOSFET晶體管測試的核心技術，介紹關鍵存儲類型、測試痛點及適配測試儀器，為相關電子元件研發與檢測提供技術參考。
類型 | 結構與原理 |
STT-MRAM | 核心為磁隧道結（MTJ），含兩層鐵磁體與中間絕緣體。電流流經參考層形成極化電流，通過自旋轉移矩改變自由層磁矩方向，以不同導電性存儲數據 |
PCM | 以硫系化合物為核心，利用材料晶態與非晶態的電阻差異存儲數據，不同電壓脈沖可實現兩種狀態的相互轉換 |
現代MOSFET采用高κ材料作電介質，易出現電荷俘獲問題，導致閾值電壓不穩定。直流測量因電荷俘獲時間跨度大而失真，脈沖I-V測量為有效方案。其測試可通過雙通道儀器實現，柵極與漏極通道分別施壓，掃描獲取特性曲線（插入MOSFET三端I-V測試配置示意圖位置）。
1. 直流I_d-V_g曲線：易受電荷俘獲影響，不適用于高速器件；
2. 短脈沖曲線：納秒級脈沖可測器件本征響應，但無法捕捉電荷俘獲信息；
3. 慢脈沖曲線：微秒級脈沖可觀測電流衰減，兼顧器件特性與壽命預測。
Active Technologies的PG-1000脈沖發生器是理想激勵源。其時間分辨率達10皮秒，振幅最高5Vpp，基線偏移±2.5V，脈沖寬度范圍300皮秒至1秒，可靈活調整脈沖參數。既能匹配STT-MRAM、PCM等NVM單元的編程與擦除測試，也能滿足MOSFET各類脈沖表征需求，助力提升測試精準度與效率。
PG-1000脈沖發生器主要指標：
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